د. حنفي تحصيلي | فيزياء

الدايود (الوصلة الثنائية PN) ومنحنى V-I

محاكاة الانحياز الأمامي والعكسي، عرض منطقة النضوب، ومنحنى الخصائص (الجهد - التيار)

الجهد المطبق (V) +0.80 V
التيار المار (I) 14.2 mA
حالة الانحياز انحياز أمامي
منطقة النضوب ضيقة جدًا
+0.80 V
-1.5V (عكسي) 0V (اتزان) +0.7V (عتبة Si) +1.2V (أمامي)
فجوات موجبة (P)
إلكترونات حرة (N)
نقطة التشغيل على منحنى V-I
القاعدة الذهبية: في الانحياز الأمامي (P بالموجب وN بالسالب) تقل منطقة النضوب ويمر تيار كبير بعد جهد الحاجز (0.7V للسيليكون). في الانحياز العكسي تتسع منطقة النضوب وينعدم التيار تقريبًا.
سؤال تحدٍّ تحصيلي

عند توصيل القطب السالب للبطارية بالبلورة من النوع (P) والقطب الموجب بالبلورة من النوع (N) في دايود سيليكون، ماذا يحدث؟